反应烧结碳化硅产品主要技术参数
Technical parameters of Reaction-Bonded SiC Products
项目 |
单位 |
指标 |
使用温度 |
℃ |
1380 |
密度 |
G/cm3 |
≥3.02 |
气孔率 |
% |
≤0.1 |
抗弯强度 |
Mpa |
250(20℃) |
Mpa |
280(1200℃) |
|
弹性模量 |
Gpa |
330(20℃) |
Gpa |
300(1200℃) |
|
导热系数 |
W/(M.K) |
45(1200℃) |
热膨胀系数 |
K-1×10-6 |
4.5 |
莫氏硬度 |
|
9 |
耐酸碱性 |
|
优 |
无压烧结碳化硅陶瓷技术参数
Technical parameters of pressure-free sintered silicon carbide ceramics
项目 |
单位 |
SSIC |
使用温度 |
℃ |
1600 |
硬度Hv |
HRA |
≥92 |
抗压强度 |
MPa |
≥2600 |
抗弯强度 |
MPa |
≥400 |
碳化硅量 |
% |
≥99 |
弹性模量 |
MPa |
410 |
导热系数 |
W/(M.K) |
100-120 |
热膨胀系数 |
i/℃ |
4.0 |
气孔率 |
% |
<0.1 |
泊松比 |
|
0.16 |